科技资讯平台快科技于 6 月 17 日报道，三星已与 Synposys（新思科技）携手合作，针对 2nm 工艺进行优化。
据悉，新思科技的 AI 驱动设计技术协同优化 (DTCO) 解决方案对三星 2nm 工艺进行了优化，在面积、性能和能效方面均有所提升。
三星计划于明年量产 2nm 芯片。消息称，三星 2nm 工艺采用了多桥-通道场效应晶体管 (MBCFET) 架构，并引入了独特的沉积和集成工艺。与现有的 FinFET 相比，这一新工艺显著提升了晶体管性能，幅度高达 11% 至 46%，同时可变性降低了 26%，漏电现象减少了约 50%。
业内人士指出，苹果、英伟达、AMD、英特尔和高通一直是先进工艺的追随者。在 3nm 制程竞争中，由于良率问题，三星的大部分客户订单都流向了台积电。
因此，2nm 制程对三星而言至关重要。如果三星在 2nm 工艺上取得成果，势必会获得客户的青睐。
此前高通曾表示，正在考虑三星、台积电双代工模式，不排除将骁龙 8 Gen5 交给三星代工的可能性。